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MOS器件的窄沟道效应

  本文阐述了MOS器件的窄沟道效应,窄沟道效应对MOS器件的阈值电压的影响以及与窄沟道效应有关的各种因素,并且通过在不同衬底偏置电压条件下测量一组不同沟道宽度的MOS器件的阈值电压的变化论证了这些现象和机理。本文还叙述了在实际的MOS器件电路制造中,合理地选择工艺参数和工艺条件,可以减弱窄沟道效应。

  李艳萍,徐静平,陈卫兵,邹晓;深亚微米MOSFET阈值电压模型[J];微电子学;2005年01期

  何野,魏同立;一种适用于VLSI MOS器件的阈电压模型[J];固体电子学研究与进展;1987年01期

  吴海平,徐静平,李春霞;一种新型的6H-SiC MOS器件栅介质制备工艺[J];固体电子学研究与进展;2005年01期

  陈震,向采兰,余志平;High-k材料MOS器件的PISCES-II模拟[J];微电子学与计算机;2003年03期

  吴代远,王纪民;MOS器件中寄生双极型晶体管模型参数的提取[J];微电子学;2002年05期

  罗尹虹;龚建成;郭红霞;石小峰;;MOS器件时间关联辐射响应的理论研究[J];原子能科学技术;2006年01期

  J.R.Schwank,杨功铭;MOS器件中辐射产生界面态的发生[J];微电子学;1988年01期

  侯民胜;;静电放电对电子器件的危害及防护[A];中国物理学会第九届静电学术年会论文集[C];2000年

  王燕;田立林;;肖特基结MOSFET的发展现状[A];第一届全国纳米技术与应用学术会议论文集[C];2000年

  章宁琳;体Si和SOI上高k介质材料研究和应用探索[D];中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所);2003年

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