窄沟道效应_电子/电路_工程科技_专业资料。窄沟道效应 一．定义 当场效应晶体管的沟道宽度约等于源和漏结的耗尽层宽度时

　　本文阐述了MOS器件的窄沟道效应,窄沟道效应对MOS器件的阈值电压的影响以及与窄沟道效应有关的各种因素,并且通过在不同衬